ضمن الموسم الثقافي لقسم الفيزياء في كلية التربية للعلوم الصرفة – ابن الهيثم اقيمت على قاعة المرحوم الاستاذ الدكتور سالم عبد الحميد محاضرة بعنوان ” علوم النانو النظرية في نبائط الليزر والكهروبصرية في قسم الفيزياء ” القاها التدريسي د. موفق كاظم عبد الرضا بحضور عدد من التدريسيين والطلبة .
قام المحاضر بتقديم نظرة عامة وشاملة عن البحوث التي أجريت في مجموعة الدراسات النظرية لعلوم النانو في نبائط الليزر والكهروبصرية منذ عام 2005 ولحد الآن. لقد تميزت جميع البحوث بكونها بحوث نظرية إستندت على العوامل والمعاملات التجريبية للنبائط الألكترونية المحضرة في المختبرات العالمية. حيث كانت في باديء الامر تهتم تأثير بلتير بصورته الإعتيادية وعندما تكون الوصلة على هيئة البئر الكمي من التركيب النانوي.ثم جاء التوجه نحو الإنموذج النظري المقترح لترانزستور تأثير المجال من معدن-عازل-شبه موصل وبطول قناة 10 نانوميتر. وإشتملت الدراسة على حساب نسبة الفتح والغلق للنبيطة وتأثير درجة الحرارة ودزر نوع وسمك العازل.
قام المحاضر بتقديم نظرة عامة وشاملة عن البحوث التي أجريت في مجموعة الدراسات النظرية لعلوم النانو في نبائط الليزر والكهروبصرية منذ عام 2005 ولحد الآن. لقد تميزت جميع البحوث بكونها بحوث نظرية إستندت على العوامل والمعاملات التجريبية للنبائط الألكترونية المحضرة في المختبرات العالمية. حيث كانت في باديء الامر تهتم تأثير بلتير بصورته الإعتيادية وعندما تكون الوصلة على هيئة البئر الكمي من التركيب النانوي.ثم جاء التوجه نحو الإنموذج النظري المقترح لترانزستور تأثير المجال من معدن-عازل-شبه موصل وبطول قناة 10 نانوميتر. وإشتملت الدراسة على حساب نسبة الفتح والغلق للنبيطة وتأثير درجة الحرارة ودزر نوع وسمك العازل.
بالإضافة إلى ذلك أجريت الحسابات النظرية لإشعاعات إعادة الإتحاد (الإستضاءة) لمادة السليكون العشوائي ذو تركيبة النقاط الكمية. إذ تم التركيز على تأثير كل من التقيد المكاني والتقيد الكمي ألذين لعبا دور في تحويل مادة السليكون من فجوة طاقة غير مباشرة إلى فجوة طاقة مباشرة وبكفاءة تحويل كمية عالية، وبأبعاد تراوحت من 1 – 4 نانوميتر. في نفس الوقت فقد ركزنا على موضوع في غاية الأهمية ألا وهو التنفق عبر نظام الشبيكة الفائقة وبالخصوص نظام GaAs/AlGaAs و نظام a-Si/Si1-xGexكذلك نظام GaN/ AlGaN . حيث أستخرج عامل النفاذية بوصفه دالة لطاقة الجسيم المتنفق عبر الشبيكة الفائقة وذلك بإستخدام طريقة مصفوفة الإنتقال.
